Научные и технологические основы устройств энергонезависимой памяти на сегнетоэлектрическом HZO

12 сентября 2026, 10:00 · И. Петров, А. Смирнова · Научные релизы, Энергонезависимая память

DOI: 10.0000/ncmu.2026.0147
Авторы: И. Петров, А. Смирнова
Журнал, год: Микроэлектроника, 2026
Цитирование: Петров И., Смирнова А. Память на HZO в топологии MFMFET // Микроэлектроника. 2026.

Демо-релиз. Топология MFMFET на сегнетоэлектрическом Hafnium Zirconium Oxide. Запись отмечена для блока «Достижения» на главной и попала в блок «Публикации» как одна из шести последних.